pn结的宽度与掺杂浓度的关系

掺杂浓度对PN结宽度的影响 

掺杂浓度对PN结宽度的影响主要体现在以下两个方面：

1. 离子浓度高时，只需较窄的一部分半导体的离子就能满足形成PN结所需电场，相应的浓度低则需要更宽的半导体才能有足够的离子产生满足PN结的电场。

2. 在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。

齐纳击穿一般发生在掺杂浓度较高的PN结中。这是因为掺杂浓度较高的PN结，空间电荷区的电荷密度很大，宽度很窄，只要加很小的反向电压就能够建立起很强的电场，发生齐纳击穿。