18N50L场效应管参数

18N50L-TF3-T-VB一款N-Channel沟道TO220F封装的场效应MOS管

VBsemi 18N50L-TF3-T-VB TO220F MOSFET产品简介：18N50L-TF3-T-VB是一款单N沟道场效应管，具有650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS）（±V），3.5V的阈值电压（Vth），160mΩ@VGS=10V的导通电阻（RDS(ON)），以及20A的漏极电流（ID）。采用了SJ_Multi-EPI技术。