bta08可控硅参数怎么测量好坏

可控硅怎么测量好坏？

一、可控硅的测量方法：

1.直接测量法。直接测量法是一种常见的可控硅测量方法。它的原理是通过使用数字 万用表 或 模拟 万用表直接将可控硅引出的两个 端口 连接到表进行测试。这种方法测试的 参数 有：电压、电流、 电阻 、功率等。通过使用直接测量法可以快速地测量可控硅的性能，但是在高电压或高电流的情况下测试需要注意安全性。

2.反向测量法。反向测量法也是一种常用的可控硅测量方法。反向测量法的原理是通过正向和反向测试可控硅的电压，以确定其性能。反向测量法可用于测试可控硅的正向和反向电压。在反向测量法中，我们需要将可控硅的主导端口连接到正向电压源，并将另一个端口连接到反向电压源。通过这种方式，我们可以测量可控硅的正向和反向电压。

3.串联测量法。串联测量法是一种使用串连 电阻器 来降低电流的测试方法。串联测量法可以通过一个分流电路来测试可控硅的额定电流、电压、功率和反向电阻等。摆脱可控硅对测试电路的干扰和噪声是这种方法的一个优点。在串联测量法中，我们需要将可控硅串联到固定的电阻器上，然后通过万用表测试电路中的电流、电压等。